摘要：肖特基二极管的正向压降与温度成反比作为半导体功率器件，在实际电路应用中难免会发热。由此我们可以得出一个结论肖特基二极管正向压降的大小与温度成反比，即温度逐渐升高，压降逐渐减小。以上就是关于肖特基二极管正向压降温度系数的详细介绍。
编辑-Z
肖特基二极管SBT40100VDC正向压降与温度变化有什么关系？正向压降与温升呈线性关系，当肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降变小时，管温必然升高。
SBT40100VDC参数描述
型号：SBT40100VDC
封装：TO-263
特性：低压降肖特基二极管
电性参数：40A，100V
正向电流(Io)：40A
芯片个数：2
正向电压(VF)：0.54V
芯片尺寸：120MIL
浪涌电流Ifsm：300A
漏电流(Ir)：10uA
工作温度：-65~+150℃
引线数量：3
我们知道，对于肖特基二极管来说，一个非常重要的性能指标是正向压降值（即VF值）。正是因为SBT40100VDC具有很低的正向压降值，所以在输出功率一定的情况下，功率损耗比普通二极管低。那么影响SBT40100VDC正向压降的变量有哪些呢？除了芯片性能和工艺技术，温升变化也是一个非常重要的方面。
肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降与温度成反比
SBT40100VDC作为半导体功率器件，在实际电路应用中难免会发热。工作温度逐渐升高，那么这会影响肖特基二极管正向压降的变化吗？答案是肯定的。通过SBT40100VDC的规格书可以看出，常温25°工作条件下压降值为0.54V，温升达到125°时压降值为0.48V，其正向压降值随着温度的逐渐升高而逐渐减小。由此我们可以得出一个结论：肖特基二极管SBT40100VDC正向压降的大小与温度成反比，即温度逐渐升高，压降逐渐减小。
虽然肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降随着温度的升高而降低是好的，但漏电流也会增加，漏电流放大会影响功率器件的整体效率，因此在工程设计时需要充分考虑电路转换率和散热措施。
以上就是关于ASEMI肖特基二极管SBT40100VDC正向压降温度系数的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
文章版权归作者所有，未经允许请勿转载,若此文章存在违规行为，您可以联系管理员删除。
转载请注明本文地址：https://www.ucloud.cn/yun/123015.html
摘要：编辑在封装里采用的个芯片，其尺寸都是，是一款低压降肖特基二极管。以上就是关于低压降肖特基二极管的详细介绍。 编辑-Z SBT30100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款低压降肖特基二极管。SBT30100VDC的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为...
摘要：常用的有快恢复二极管超快恢复二极管和肖特基势垒二极管。超快恢复二极管是在快恢复二极管的基础上发展起来的。其反向恢复电荷进一步减少，反向恢复时间更短，可低至几十纳秒。 编辑-Z 在开关电源二次侧的输出整流电路中，一般采用反向恢复时间短的MURF1040CT整流二极管。常用的有快恢复二极管、超快...
摘要：编辑在封装里采用的个芯片，是一款肖特基二极管。的电性参数是正向电流为，反向耐压为，正向电压为，其中有条引线。以上就是关于肖特基二极管的详细介绍。 编辑-Z MBR10100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流...
摘要：强元芯电子是一家集科研开发制造销售为一体的国家高新技术企业。年专注于整流桥电源及肖特基快恢复二极管汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。 编辑-Z MBR20200FCT参数描述 型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速 电性参数：...
摘要：产品广泛应用于开关电源照明集成电路移动通讯计算机工业自动化控制设备汽车电子以及液晶电视智能家居医疗仪器电磁炉等大小家电。 编辑-Z MBR60100PT参数描述 型号：MBR60100PT 封装：TO-247/3P 特性：肖特基二极管 电性参数：60A 100V 芯片材质：SI 正向电流(I...
阅读 3206·2021-11-25 09:43
阅读 3416·2021-11-11 16:54
阅读 842·2021-11-02 14:42
阅读 3767·2021-09-30 09:58
阅读 3673·2021-09-29 09:44
阅读 1287·2019-08-30 15:56
阅读 2106·2019-08-30 15:54
阅读 2993·2019-08-30 15:43
